新創埃爾思科技對焦半導體高階檢測分析市場需求 FIB設備所需的單原子光源技術

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【綜合訊】FIB(聚焦離子束)設備具備顯微成像、局部材料移除與沉積的能力,被廣泛應用於半導體元件失效分析、樣品製備、生醫與醫藥領域的顯微成分分析等。目前市面上主流的FIB使用液態金屬鎵作為離子源,其光源尺寸約為50奈米,在進行局部材料移除時,對樣品會有明顯的破壞,隨著半導體製程達到7nm以下,傳統FIB越來越難滿足要求。

新創團隊埃爾思科技即是對焦台積電等大廠的技術發展路徑,掌握缺口剛需並提出可行的技術解決方案,創辦人張維哲博士及其團隊,具有多年的單原子離子光源研發經驗,其光源尺寸僅有單顆原子大小(約0.3 奈米),原子尺寸的離子光源具有最高亮度,是世界最尖端的帶電粒子束光源科技,能夠大幅改進FIB的材料移除分辨率。不過,科學研究成果仍離商業化有一段路,張維哲博士即決定新創並與核心團隊於20196月共同創立埃爾思科技,同年取得原任職單位中央研究院關於單原子針技術的專利授權,由埃爾思科技完成單原子離子光源技術的前期商業化發展,以加速完成新世代FIB系統的開發。

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埃爾思科技成立後,致力於提升離子光源的性能以符合商業化之需求,並發展相關專利技術,於此同時,也衍生出許多金屬針尖製造技術。埃爾思利用這些衍生技術,發展出奈米探針、微米探針、掃描穿隧顯微鏡(STM)探針等產品。Nano Probing系統,是目前先進半導體製程中進行電性量測的重要工具,需要使用奈米尺度的金屬針尖對樣品進行接觸式量測,大量應用於研發與故障分析,奈米探針是此設備的主要耗材。當製程進入10奈米以下,所需要使用的探針規格要求越來越高,埃爾思科技能提供業界最高規格之奈米探針(針尖曲率半徑小於3奈米),能勝任最先進半導體製程的故障分析需求。此外,微米探針用於探針台的各種電性量測應用,如Mini LEDMicro LED的晶片點測。埃爾思科技藉由獨家製針技術,為客戶提供各種不同規格的金屬探針,探針直徑、針尖曲率、針尖錐角等均可依據客戶需求進行調整,以滿足未來生產線上多樣化的點測需求。

如今,在單原子離子光源的商業化項目,已取得國際設備大廠的先期合作並共同開發新世代的FIB設備,最快有機會在2024年問世。而利用其獨特電化學技術所製備的奈米級與微米級探針,則已經通過市場驗證並達到少量出貨的階段,正擴大生產規模且積極進行市場推廣。埃爾思團隊優越的表現也獲得政府研發補助專案的肯定,先後取得高雄市SBIR計畫補助以及獲選為經濟部SBIR創業概念海選計畫明星組Stage1與創新擇優Stage2計畫技術創新突破類補助個案。同時;今年初也獲得專注於科技新創早期投資與育成陪跑的誠研創新()公司的天使輪投資並協助埃爾思科技推動技術商業化工作,期待創造更大的格局與市場價值。【記者:朱小祿/綜合報導】2021-04-22

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